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该文回顾了SMART CUT技术的发展历史,就SMART CUT技术中涉及的氢离子注入技术与低温键合技术等关键问题作了一些有益的研究和探讨,对于SMART CUT技术中的相关问题从 基础物理学和化学理论等方面进行了比较详细的论述.同时提出一种优化后的SMART CUT工 艺,利用修正的RCA处理液在实验中得到比较满意的结果,在三英寸硅片上的剥离面积超过95﹪,达到预期的目标.