【摘 要】
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在Anderson晶格模型下,利用slave boson(SB)平均场技术,研究了在导带掺杂下全温区的Kondo绝缘体的光电导率.结果表明系统从低温时的Kondo绝缘体转变为金属,并且随着掺杂浓度
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在Anderson晶格模型下,利用slave boson(SB)平均场技术,研究了在导带掺杂下全温区的Kondo绝缘体的光电导率.结果表明系统从低温时的Kondo绝缘体转变为金属,并且随着掺杂浓度的增加,杂质的散射效应可导致光电导率呈现近乎与温度无关的能隙行为.我们发现光电导率在低频处谱权重的缺失将随着温度的升高而减小,借助于光学求和规则,讨论了自由电子的局域化及其与温度的关系,得到了与实验定性符合的结果.另外,我们还研究并预言了在加压情况下,电子型与空穴型Kondo绝缘体材料光电导率的行为.
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