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随着器件尺寸缩小至亚微米，器件的稳定性和可靠性就显得更加重要。当电荷进出于浮栅下方的隧道氧化层时，氧化层逐渐失效，期间产生的陷阱和缺陷直接影响EEPROM器件的可靠性。
论文在对FLOTOX EEPROM存储管结构以及工作原理深入分析的基础上，着重研究了FLOTOX EEPROM器件隧道氧化层在恒流应力下特性退化的可靠性问题。通过隧道氧化层的评估实验和擦/写实验，得知保证EEPROM可靠性的关键是要尽量减少隧道氧化层中的可动电荷和缺陷密度，从而保证EEPROM的“擦/写”质量，改善耐久和保持特性。
通过实验，分析了产生SILC效应的机理、影响SllC电流的因素以及各个因素对SIlC的贡献；通过模拟了FLOTOX EEPROM的工作过程，分析了EEPROM在恒流应力下隧道氧化层的退化机理，并提出了减小EEPROM的SILC的方法。
通过实验提出了一种简单准确的预测EEPROM寿命的方法，并基于FLOTOXEEPROM的阈值电压模型，总结了FLOTOX EEPROM存储管的设计准则，以及提高FLOTOX EEPROM存储管的可靠性的基本准则。