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该文对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器作了材料生长,质量控制,器件性能方面的研究,目的是提高其探测率,把其推向实用化.
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究
【摘 要】
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该文对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器作了材料生长,质量控制,器件性能方面的研究,目的是提高其探测率,把其推向实用化.
【机 构】
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中国科学院力学研究所
【出 处】
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中国科学院力学研究所
【发表日期】
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1998年期
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