【摘 要】
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随着半导体材料生长技术与器件制造技术的日益进步、特别是GaN和AlGaN分子束外延生长技术的日益完善，AlGaN/GaN基器件在半导体行业得到广泛的应用。然而，随着应用过程中的深入，
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随着半导体材料生长技术与器件制造技术的日益进步、特别是GaN和AlGaN分子束外延生长技术的日益完善，AlGaN/GaN基器件在半导体行业得到广泛的应用。然而，随着应用过程中的深入，这一类器件的弱点也逐渐暴露出来，而这些弱点与器件的结构和制备工艺紧密相关。
本文针对AlGaN/GaN基器件中典型的整流器件——具有高反向击穿电压的高速金属/AlGaN/GaN横向异质结肖特基二极管，以改进结构和优化性能为出发点，通过理论计算指出金属/AlGaN/GaN横向异质结肖特基二极管中存在电流集边效应，并讨论了这一效应导致的温度分布差异以及由此而来的电流、温度正反馈直至最后器件失效等危害。首次提出了采用多晶硅层的方法来有效地缓解电流集边效应，改善了金属/AlGaN/GaN横向异质结肖特基二极管的电流均匀性。
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