配置FRP筋的城市地下综合管廊抗震性能研究

来源 :华中科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jinher123
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
城市地下综合管廊是一种浅埋的地下空间结构,它主要将水管道、燃气管线、通讯电缆等生活管线埋置其中,起到高度集约的作用。如今,钢筋腐蚀问题非常严重,影响着结构的工作状态。我国部分地区土质恶劣,地下综合管廊在土体和地下水共同侵蚀作用下,再加上长期动荷载影响的作用下,久而久之,钢筋腐蚀等问题频频出现,导致地下结构的失稳或破坏。纤维增强复合材料(简称FRP)以其耐腐蚀、抗老化性能优异被许多专家研制成新的受力筋,替代混凝土结构中的钢筋。但是FRP材料对于地下结构的抗震性能有所减弱。本文基于ABAQUS有限元软件,对配置FRP筋的地下综合管廊进行抗震性能研究,结合研究结果给出相关建议。首先,本文对FRP筋的材料性能特点及发展现状进行一个详细的阐述,通过国内外地下综合管廊抗震资料,系统地分析地下综合管廊抗震特点。介绍ABAQUS有限元软件实现综合管廊抗震分析的方法步骤以及所涉及的一些理论基础。其次,在数值模拟方面,完成了结构-土体建模、边界条件验证,模态分析以及综合管廊抗震响应分析。地震荷载采用位移输入形式,分别从混凝土结构与FRP受力筋笼两部分进行分析,并与配置钢筋、混合配筋的综合管廊进行比较,得出不同类型综合管廊的抗震能力。最后,根据配置FRP筋的地下综合管廊的动力响应结果,得出配置FRP筋的地下综合管廊具有良好的抗震性能结论,并针对地下综合管廊结构大多为浅埋的特点,提出配置FRP筋的浅埋型地下综合管廊结构抗震设计建议。
其他文献
中欧新能源合作是中欧应对气候变化、顺应国际经济发展趋势的战略选择。它有利于化解国内外对"一带一路"的误解、与"一带一路"建设相互促进、可强化对"一带一路"建设的金融支
大学生是中国特色社会主义事业的未来建设者和接班人。大学生素质的高低直接关系到国家的未来和民族的希望。2012年11月,党的十八大报告明确指出:“把立德树人作为教育的根本任务,培养德智体美全面发展的社会主义建设者和接班人。”这一论述明确回答了“培养什么人、怎样培养人、为谁培养人”这一事关党和国家前途命运的问题,也对大学生思想政治教育提出了更高的要求。2017年10月,党的十九大再次提出:“要全面贯彻
工农业发展给水环境带来的污染已经使大量水生生物的栖息环境遭到严重破坏,尤其是容易受人们忽视的微小但分布广泛的浮游动物,浮游动物由于对环境变化敏感,近年来经常被用来
在集成电路日益发展的今天,芯片的验证工作已成为芯片整体流程中的一项重要组成部分。所以运用高效先进的验证方法学来搭建验证平台,即保证了设计功能的正确性,又提高了前端
依据规范,基坑支护结构除有特殊要求外,应按设计使用年限不应少于一年的临时性结构进行设计。然而在实际工程中,因种种原因造成支护结构超期服役的状况屡见不鲜。超期服役基
目的:观察肝硬化患者感染的发生与淋巴细胞亚群水平的关系,并对肝硬化患者中医证型特征与淋巴细胞亚群水平的相关性进行研究,运用SPSS21.0软件进行数据处理和综合分析,探讨淋巴细胞亚群与感染的发生及中医证型之间的相关性,旨在对肝硬化患者感染多发的免疫因素进行分析,为肝硬化患者并发感染的早期预防及诊治提供参考依据,同时为后续肝硬化并发感染相关研究的开展奠定基础。方法:本试验受试者均来自于2018年2月
近年来,随着经济的快速发展,人们物质文化水平的不断提高,餐厨垃圾与日俱增,影响甚大。餐厨垃圾物质成分包括蛋白质类,纤维素类,油脂类,淀粉类等,将其资源化已经成为我们研究
与硅(Si)基器件相比,基于AlGaN/GaN异质结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)凭借着材料的高电场强度与在AlGaN/GaN界面处形成的二维电子气(2DEG)的高迁移率和电子密度,可以在更高的电压、电流、频率以及温度下进行工作。然而,2DEG的存在使得常规GaN HEMT器件为耗尽型。对于电力电子应用,出于安全原因和简化驱动电路,增强型器件必不可少。因此,增强型GaN HEMT器件的实现成为
体育赛事资源是赛事举办的前提条件,它包含了满足赛事开展的所有要素及条件的总和。近年来随着我国综合国力的提升,体育赛事呈现出蓬勃发展的态势,马拉松在国内掀起的跑马热潮可见一斑。随着生活压力的不断增加,越来越多的人选择逃离城市的喧嚣,亲近自然,感受自然。武陵山片区因为特殊的地理位置,区域内山地户外赛事资源丰富,山地户外运动蓬勃发展。本文运用文献资料法、专家访谈法、实地考察法等,深入调查研究武陵山片区山
作为整流电路、限幅电路等的核心器件,大功率氮化镓肖特基二极管(GaN based Schottky Barrier Diode,SBD)近年来得到了广泛关注。在GaN基SBD研究中,主流采用的是Al GaN/GaN异质结构外延材料,获得了出色的器件性能。然而在GaN基异质结构中,InAlN/GaN在很多方面性能超越Al GaN/GaN,尤其是In组分为17%的晶格匹配InAlN/GaN异质结,但是