【摘 要】
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该文采用了射频反应磁控溅射方法,并选择Si和载波片两种不同衬底,在不同的氧气分压下制备了ZnO薄膜,利用多种分析手段对薄膜的晶体结构、表面形貌、薄膜成分和能带结构等基本
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该文采用了射频反应磁控溅射方法,并选择Si和载波片两种不同衬底,在不同的氧气分压下制备了ZnO薄膜,利用多种分析手段对薄膜的晶体结构、表面形貌、薄膜成分和能带结构等基本性质进行了研究.其结果为:在氧气分压较高时薄膜的结晶度高,且为(002)择优取向;薄膜是由六角形柱组成,这正与ZnO的六方结构吻合;薄膜的O/Zn随氧气分压的升高而降低,且在氧气分压约为0.14Pa处突变;ZnO薄膜属于n型半导体,其禁带宽度为3.2eV,电阻率、霍尔迁移率和载流子浓度受衬底、溅射气体等参数影响较大.我们还对ZnO薄膜以及ZnO-Si同型异质结进行了低温下变温I-V测量,为深入了解ZnO薄膜提供了新的数据.
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