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单壁碳纳米管由于具有特殊的结构和一系列优异的物理、化学性能，被认为是未来制备纳米器件的重要材料之一。但是用化学气相沉积法（chemical vapor deposition, CVD）生长的碳纳米管的金属残留和金属与半导体型碳纳米管的混合极大地限制了其在这一领域的应用。因此，要想有效地提高基于碳纳米管的纳米器件的性能，首先要得到特定结构的碳纳米管包括无金属残留，纯的半导体型或是金属型碳管甚至是特定螺旋性的碳纳米管。本论文主要研究了用非金属催化剂，包括SiO_2、TiO_2等合成无金属碳纳米管，和用金