超高频RFID阅读器接收机射频前端电路的研究与设计

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现在自动识别技术在制造、物流、销售及服务行业变得不可缺少。条形码标签在过去的几十年里使识别系统发生了重大的革命,但是由于其存储空间小,不可再编程,而且识别过程中必须可视等问题,需要新的技术来改善这些问题。近场电感耦合RFID系统发展成熟,但是读取速率慢,识别范围距离有限。为了能够实现更远的读取距离(10m以上)、更快的读取速率(640kbps以上),工作于860-960MHz超高频范围的无源RFID标签得到了迅速发展,尤其是在供应链管理方面[1][2]。本文主要介绍了单芯片RFID阅读器接收机的结构,以及关键模块的设计,包括混频器、晶体振荡器和频率综合器。本文完成的工作如下:设计了一款900MHz零中频正交下变频混频器,该混频器采用共跨导级正交结构,并利用电流注入技术减小噪声,在UMC0.18μm CMOS工艺下流片实现,总面积为1mm×1.1mm。最终芯片测试结果为:混频器在1.8V电压下消耗电流3.7mA,带宽范围880MHz到940MHz,增益16.42dB,三阶截点为4.625dBm,在100kHz处噪声系数为15.2dB。芯片能够达到阅读器的性能要求。通过使用石英晶体作为参考可以获得很高的频率精度(100ppm以下),所以设计了一个晶体振荡器作为频率综合器的参考频率。本文选择了Pierce结构的振荡器并进行了分析。通过电路阻抗轨迹圆的方式详细分析了线性模型,并考虑到损耗的影响,在无损耗的条件下推导了基本振荡情况和牵引频率、临界跨导等公式。由于电路非线性的问题会对振幅和频率稳定性造成影响,本文也进行了分析。晶体振荡器使用自动幅度控制环路降低功耗,保证晶体的稳定,并降低非线性对频率的影响。振荡器建立时间为1.2ms,在100kHz和1MHz处,输出相位噪声分别为148dBc/Hz和149dBc/Hz。设计了应用于RFID阅读器的小数N频率综合器,为了获得更大的频率输出范围,压控振荡器采用了开关电容阵列和自动频率控制技术,VCO的输出范围从880Mz到1.02GHz,增益为30MHz/V。使用4位3阶single-loop ΣΔ调制器减小相位噪声,并且频率精度达到了200Hz。建立时间不超过100μs,版图面积为1.5mm×1.6mm。在100kHz和1MHz处,PLL的输出相位噪声分别为93dBc/Hz和123dBc/Hz。
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