【摘 要】
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近年来，光探测器在光纤通信，图像传感，机器视觉和环境监测以及生物探测等领域都有着广泛的应用，其功能受到了人们越来越多的关注。目前大多数钙钛矿光探测器都是基于多晶薄膜的，然而多晶薄膜中存在的大量晶界和缺陷严重制约了器件的探测性能。相较于钙钛矿多晶薄膜而言，钙钛矿单晶有着扩散长度长，迁移率高，缺陷少和稳定性好的优点，为研发出更优异性能的光探测器提供了可能。 本文使用升温结晶法成功生长了MAPbX3（
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近年来，光探测器在光纤通信，图像传感，机器视觉和环境监测以及生物探测等领域都有着广泛的应用，其功能受到了人们越来越多的关注。目前大多数钙钛矿光探测器都是基于多晶薄膜的，然而多晶薄膜中存在的大量晶界和缺陷严重制约了器件的探测性能。相较于钙钛矿多晶薄膜而言，钙钛矿单晶有着扩散长度长，迁移率高，缺陷少和稳定性好的优点，为研发出更优异性能的光探测器提供了可能。
本文使用升温结晶法成功生长了MAPbX3（I,Br）单晶，并以MAPbBr3为核，MAPbI3为壳，生长出了MAPbBr3I3-x晶体，然后在这三种晶体的两个（100）面上蒸镀金电极以制备成光探测器。经过测试所得的实验数据表明，MAPbI3光探测器在不同波长的入射光照射下都有着优异的性能，同时有着在这三种光探测器中最大的光响应度7A/W和最高的外量子效率1333%。由于MAPb Br3的吸收边缘在570nm，其光探测器只在405nm有着优异的光响应度5.1A/W和外量子效率1004%。而MAPbBr3I3-x光探测器的光响应度和外量子效率都比较普通。除此之外，我们还蒸镀了三种不同功函数的金属来探究电极材料对垂直结构MAPbI3光探测器性能的影响。通过分析发现，以铜为电极制备的光探测器暗电流最小，仅为0.06μA，对于抑制器件的暗电流非常有效，而金电极对于光探测器内部光生激子的解离帮助最大，其光探测器的光响应度和外量子效率分别为3.9A/W和745%。
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