【摘 要】
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在上世纪的最后十年的时间内,大量的探索和研究使宽禁带GaN系半导体成为20世纪末最活跃的半导体材料系.GaN系半导体材料具有许多优异的特性,它们在短波长发光二极管、激光器
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在上世纪的最后十年的时间内,大量的探索和研究使宽禁带GaN系半导体成为20世纪末最活跃的半导体材料系.GaN系半导体材料具有许多优异的特性,它们在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器以及高温微电子器件方面显示出了广阔的应用前景.该文围绕GaN外延膜的质量,对α-Al<,2>O<,3>(0001)衬底、α-Al<,2>O<,3>(1120)衬底、LiGaO<,2>(001)衬底和LiGaO<,2>(100)衬底的生长和缺陷进行了系统的分析,并对GaN薄膜的生长及缺陷进行了研究.ZnO是新近发展起来的一种半导体材料,它的特性与GaN非常相近,可以作为GaN材料系有益的补充和发展,因此该文也对它展开了初步研究.该文的主要工作及结论可概括为以下几点:1.衬底材料的生长和缺陷研究;2.在四种衬底上进行GaN处延生长的研究;3.用LP-MOCVD法成功的在白宝石(0001)衬底上生长出了ZnO(0001)外延膜,并研究了生长温度和高温热退火对ZnO处延膜质量的影响.
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