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该论文工作主要是利用射频反应磁控溅射方法制备AIM薄膜,研究各溅射参数对薄膜生长的影响,测量AIN薄膜的场发射性能,寻找具备优良场发射性能的AIN薄膜的制备条件.制备出了起始电场强度低、有较大场发射电流密度的样品.并着重研究了薄膜厚度与场发射性能之间的关系.通过测量AIN薄膜的电阻率确定了它的二极层厚度.并用二极层理论解释了在30nm以下厚度范围内出现具有优良发射特性的样品的原因.该论文还在硅尖上沉积了AIN薄膜,并获得了起始电场4V/um,最大场发射电流190uA/cm<2>.