【摘 要】
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该论文主要进行了钨丝掩模倾斜离子注入的室温连续850nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的优化设计、研制、和特性研究工作,以及在离子注入型VCSEL的横向模式、偏振特性控制方面的
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该论文主要进行了钨丝掩模倾斜离子注入的室温连续850nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的优化设计、研制、和特性研究工作,以及在离子注入型VCSEL的横向模式、偏振特性控制方面的实验探索.在该论文的完成过程中,取得了以下创新性成果:1.在实验室的现有的具有自主知识产权的钨丝掩模离子注入型垂直腔面发射激光器研究工作基础上,提出采用倾斜角度进行离子注入来增大电流限制,改善器件特性的方法.2.通过在外延片设计和钨丝掩模离子注入工艺参数方面的优化,分别采用二次和四次倾斜离子注入工艺制作出室温连续低阈值的垂直腔面发射激光器批量器件.器件的综合参数包括横模特性、偏振特性等方面与国外同类器件相比达到了最好水平,某些参数超过氧化限制型VCSEL器件.最重要的是,整个器件的制作工艺简单,可靠性高,适合工业化生产.3.在国内首次研制出偏振可分辨的分区光谱扫描测试系统,扫描最大分辨率为1.25μm.系统可在任意偏振方向对发光器件的近场图像进行扫描,对器件近场光斑的强度、光谱特性、偏振特性进行分析.4.结合相关文献,首次提出将表面刻蚀图形工艺与离子注入型VCSEL器件相结合进行模式控制和偏振选择,并进行了相关的实验尝试.
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