论文部分内容阅读
二维拓扑绝缘体材料是当前凝聚态物理和材料制备领域的研宄热点，与三维拓扑绝缘体材料块体材料相比，二维的拓扑绝缘体更能有效地凸显出其表面电子态的贡献，在量子计算机和自旋电子学等方面将具有极大的应用潜力。目前，二维 Bi2TekSex材料的大规模可控制备仍是亟需解决的关键问题。本文研宄了可控合成二维Bi2Te3-xSex纳米片以及Bi2Te3-xSex/石墨稀异质结材料的方法。主要研宄内容包括： 1、采用水热和溶剂热相结合的方法成功合成了二维Bi2Te3.xSex和Bi2Te^Sex/石墨烯异质结结构并系统研宄了其在不同波长的激光激发下的拉曼振动性质。研宄发现，材料的尺寸对拉曼振动模式产生很大的影响。 2、米用气相沉积方法在二氧化娃和^母基底上制备得到Bi2Te3和 Bi2Se3纳米片。通过控制生长条件和对基底进行处理，成功实现了对Bi2Te3和 Bi2Se3成膜特性的调控。分别获得厚度在20nm以下的大尺寸（>几十μm) Bi2Te3和 Bi2Se3单晶，以及连续的Bi2Te3和Bi2Se3薄膜。 3、首次在石墨烯上原位生长得到二维Bi2Te3.xSex，x=(0，1，2，3)单晶材料。通过将石墨稀转移至二氧化娃基底，随后原位生长二维Bi2Te3.xSex的方法，在二氧化娃基底上获得高质量的二维Bi2Te3.xSex/石墨稀异质结构。