【摘 要】
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低能正负电子致原子内壳层电离截面的测量研究在理论和实际应用方面都有着重要意义。在理论研究方面,目前已提出的相关理论模型需要准确的电离截面数据进行检验,从而促进理论模型的发展;在实际应用方面,低能正负电子致原子内壳层电离截面广泛应用于材料科学、等离子体物理、大气物理学以及天体物理学等领域。目前,现有的低能正负电子致原子内壳层电离截面数据比较匮乏,这是由于实验技术存在不足。获取电离截面的方法有薄靶方法
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（No.11275071）；
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低能正负电子致原子内壳层电离截面的测量研究在理论和实际应用方面都有着重要意义。在理论研究方面,目前已提出的相关理论模型需要准确的电离截面数据进行检验,从而促进理论模型的发展;在实际应用方面,低能正负电子致原子内壳层电离截面广泛应用于材料科学、等离子体物理、大气物理学以及天体物理学等领域。目前,现有的低能正负电子致原子内壳层电离截面数据比较匮乏,这是由于实验技术存在不足。获取电离截面的方法有薄靶方法和厚靶方法,而薄靶方法在靶样品种类的制备上具有局限性,因此发展厚靶方法测量电离截面十分必要。当采用厚靶方法测量电离截面时,正负电子碰撞厚靶的散射效应比较严重,且正电子与纯厚靶作用伴随产生的湮灭光子会对特征X射线计数有贡献。此外,其他次级粒子也可能会产生额外的特征X射线,因此这些效应对特征X射线产额的贡献需要被扣除。但目前他人已发表的采用厚靶方法测量正负电子致原子内壳层电离截面数据,并未对特征X射线实验产额进行修正。基于此现状,本论文开展了以下工作:将PENELOPE数据库中基于ODM光学数据库中的正负电子致原子内壳层电离截面替换为相应的DWBA理论模型预测值;通过蒙卡逼真模拟结合理论积分公式计算30 keV以下能量的正负电子碰撞纯厚靶（Si、Ti、Ag、Pb和Bi）时对特征X射线产额的修正结果,并将修正结果对已发表的截面数据作了重新修正;通过蒙卡逼真模拟得到了正负电子碰撞纯厚靶过程中,初级粒子及上述各成分对特征X射线产额的贡献份额。得到的结论为:他人已发表的厚靶方法截面数据没有考虑散射效应和各次级粒子对实验产额的贡献,导致截面不够准确。30keV以下能量电子碰撞纯厚Si和Ag靶时,对特征X射线产额的贡献主要来源于初级入射电子,次级电子和轫致光子对产额的贡献基本可以忽略。在正电子碰撞纯厚靶（Ti、Ag、Pb和Bi）过程中,当入射正电子能量靠近靶原子电离阈能时,对特征X射线产额的贡献主要来源于湮灭光子;随着入射正电子能量升高,湮灭光子对产额的贡献逐渐减小,初级正电子对产额的贡献占主导地位。
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