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大学生创业法律风险防范研究
【出 处】
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吉林财经大学
【发表日期】
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2021年01期
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SRAM型FPGA的可重构能力已经被用于实现宇航应用FPGA的故障定位,通常故障定位采用覆盖性测试,需进行多次“码流加载、测试”的迭代.FPGA码流规模的增加,使得迭代测试消耗时间以及测试码流存储空间的不断提高,而这种需求几乎无法在空间电子系统中实现.本文通过码流解析,总结多组码流地址计算公式,包括待测单元坐标、行地址、主地址、辅地址等信息.借助码流地址计算公式可实现任意物理位置Tile(基本单元)的码流寻址并可确认Tile内部结构配置信息.在此基础上提出一种在待测FPGA本地进行分区对比测试的故障定位方
为提高器件的击穿电压,提出了一种具有间断场板和栅下极化层结构的常开型AlGaN/GaN HEMT.分析了器件击穿电压提高的机理.优化了器件结构参数.结果 表明,该常开型AlGaN/GaN HEMT的击穿电压从仅有单一场板时的1187V提升到了1573V.该新型结构能够保证AlGaN/GaN HEMT在高压条件下正常工作,极大地提高了器件的击穿性能.
针对可穿戴医疗设备,设计了一款0.5V供电、2 kS/s采样率、10 bit精度的低压超低功耗逐次逼近型模数转换器(SAR ADO).设计采用自举采样开关来实现高线性采样.在低功耗策略上,使用了0.5V的电压供电,使电路中绝大多数晶体管处于亚阚值区,由此产生的极低的电流对整体功耗的降低起了关键作用.另一种低功耗策略表现为在各个模块的选择、设计上,采用的5～5分段且逐位分裂的DAC电容阵列在降低自身能耗的同时省去了基准电路,降低了整体功耗,比较器以及SAR逻辑均采用无静态功耗的动态结构来降低能耗,此外,特别
针对高温引起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件饱和输出电流值发生退化的问题,开展了对SOI(绝缘体上硅)工艺器件的高温特性分析.结果 表明FDSOI的饱和输出电流随温度变化值△I/I=1.9％,远小于PDSOI的△I/I=24.1％.其原因是超薄体FD(全耗尽)SOI的结构优势使其和PD(部分耗尽)SOI相比拥有更低的阈值电压温度漂移率和更小的载流子迁移率改变量.
设计了一种用于电流舵DAC电流开关的高速编码逻辑电路.为了实现高运算速率,该电路采用多米诺结构;为了增强抗辐照能力,采用电阻电容双互锁结构进行加固.通过远程测试平台进行抗单粒子效应实测,普通电路在LET值为37.2 MeV·cm2/mg条件下,在离子总注量累积4.3×106 ions/cm2时,软错误次数便达到100次;而加固后的电路在同样的LET值下,离子总注量累积到107 ions/cm2时,软错误次数仅为24次,抗SET及SEU能力大大加强.
为提高压电能量采集(piezoelectric energy harvesting,PEH)系统的转换效率,文章在传统全桥整流器(full-bridge rectifier,FBR)以及同步开关电感收集(synchronous switch harvesting on inductor,SSHI)技术的基础上,设计了冷启动同步开关电容收集(synchronous switch harvesting on capacitors,SSHC)整流器.整流器电路可在冷态下提供较高的开路电压,使系统加快进入正常工作
航天科技是国家综合国力的体现,是推动国家建设、科技创新和经济社会发展的战略制高点.加快航天科技发展与应用,对建设国家战略科技力量,提升产业核心竞争力,实现经济高质量发展,改善国计民生具有重要意义.
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