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InGaN/GaN量子阱微腔中光子和激子的强相互作用研究
【摘 要】
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InGaN/GaN量子阱具有较高的量子效率、较大的激子结合能、可调节的发光波长、较高的辐射复合速率等诸多优势,因此被广泛应用于激光二极管、发光二极管、激子极化激元LED、激子极化激元激光器等领域。其中,InGaN/GaN量子阱中较大的极化电场,会对激子带间跃迁能会产生强烈的影响。而InGaN/GaN量子阱中较大的激子结合能保证了其室温下激子及其极化激元的形成。但是,在外延生长InGaN过程中由于I
【机 构】
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厦门大学
【出 处】
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厦门大学
【发表日期】
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2020年08期
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