【摘 要】
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该工作采用射频磁性溅射方法在不国热衬底ITO/玻璃上制备了钙钛矿型PLZT透明电薄膜,研究制备过程中参量选择与薄膜纵横驰骋及成分的关系,结合XRD、XPS、SEM、AFM等测试手段,
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该工作采用射频磁性溅射方法在不国热衬底ITO/玻璃上制备了钙钛矿型PLZT透明电薄膜,研究制备过程中参量选择与薄膜纵横驰骋及成分的关系,结合XRD、XPS、SEM、AFM等测试手段,对薄膜的形成过程,热处理对PLZT薄膜微结构和成分的影响进行了研究.XPS深度分析发现,退火过程中,ZrO<,2>向界面处汇集,随着退火时间延长,薄膜中成分都趋向均匀,但退火时间过长,会导致薄膜中各成分的挥发.实验结果表明:溅射气氛中氧分压高于30﹪,沉积速率在12A/min左右沉积的PLZT薄膜,厚度200nm-300nm,PbO保护气氛中625℃慢速退火150min可以得到成分较均匀的钙钛矿相结构PLZT薄膜,薄膜表面无裂纹,与基底附着良好.
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