【摘 要】
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本文采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术制备了纯Mo、Mo-Nb与Mo-Ti薄膜。对所制备薄膜的物相组成、晶体结构以及微观组织结构进行了观察和分析,对薄膜的电学性能、力学性能及
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本文采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术制备了纯Mo、Mo-Nb与Mo-Ti薄膜。对所制备薄膜的物相组成、晶体结构以及微观组织结构进行了观察和分析,对薄膜的电学性能、力学性能及抗氧化性能进行了研究,并分析和讨论了制备工艺对薄膜的微观结构与性能的影响规律,深入探讨了所制备薄膜微观组织变化对其性能的影响机制。 沉积态纯Mo、Mo-No-与Mo-Ti薄膜均沿Mo(110)晶面择优生长,同时Mo的衍射峰均向低角度偏移,即晶面间距变大。纯Mo薄膜的衍射峰强度大,衍射峰半高宽小,说明结晶程度较好,而Mo-Nb与Mo-Ti薄膜的衍射峰强度减弱,且存在不同程度的峰宽化,结晶效果减弱。薄膜呈柱状结构并垂直于基体表面,其中Mo-Nb与Mo-Ti薄膜出现了多层结构,并出现了较明显的非晶化趋势。随着添加Nb、Ti量的增加,薄膜表面形貌由圆形与椭圆形变为针棒状,颗粒间存在孔洞也变少,同时薄膜表面呈较整齐的岛状。 纯Mo薄膜的电阻率随着钼靶电流的增大呈下降趋势,Mo-Nb与Mo-Ti薄膜的电阻率低于纯Mo薄膜。纯Mo膜的硬度随着电流的增大呈下降的趋势,而弹性模量的变化趋势则相反。添加合金元素Nb、Ti可以提高薄膜的力学性能(屈服强度)。合金薄膜的屈服强度增加主要受固溶强化和细晶强化作用。添加合金元素Nb、Ti后提高了薄膜的抗氧化性能,综合考虑表面形貌、氧化增重及XRD分析结果可以得到Mo靶和Ti靶电流均为1A时的薄膜抗氧化能力最强。 退火处理后使Mo-Nb与Mo-Ti薄膜发生了晶化和晶粒长大,并且有助于残余应力的释放。随着退火温度的升高,薄膜与Si基体反应形成了高电阻率的MoSi2六方相。600℃退火后薄膜的电阻率明显有所降低,随退火温度的升高,电阻率不断增加。不同温度退火对Mo-Nb与Mo-Ti薄膜的电阻率值有不同的影响,影响电阻率变化的主要因素是晶粒长大、薄膜状态稳定化、表层氧化物以及薄膜中相组成。
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