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本论文工作采用组合材料芯片技术，利用离子束溅射沉积设备制备了多种Zn基金属体系组合材料芯片。采用电化学测试方法对Zn基体系的耐腐蚀性能进行了研究，获得的研究结果如下：
1.对Ti掺杂量梯度变化的Zn-Al-Ti三元组合材料芯片(Al wt％：Znwt％=55％：45％)的热处理过程进行了研究。确定：通过降低升降温速率，并使薄膜在低温下充分扩散，可以得到高质量的Zn-Al-Ti薄膜。
2.对部分Zn-Al-Ti薄膜的相结构和表面形貌进行了表征。结果显示：与未掺Ti的薄膜比较，Ti适量掺杂(6 wt％)后的Zn-Al-Ti薄膜表面更为致密，且晶粒显著细化。
3.平衡电位和动电位极化测量的结果表明：与未掺杂的薄膜相比，Zn-Al-Ti薄膜的耐腐蚀性能更优异，其中Zn-Al-Ti薄膜(6 wt％Ti)的耐腐蚀性能最为优异。此外，推测了Zn-Al-Ti薄膜的腐蚀机理。
4.对Zn-Ni二元组合材料芯片进行了初步探索。对于Zn-Ni多层膜，在Ar/H2气氛中，在400℃退火2小时可以获得理想的薄膜样品。Zn-Ni组合材料芯片的电化学测试结果表明：高Ni组分的耐腐蚀性能相对更优异。