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Ag In Se2作为一种典型的I–III–VI2黄铜矿结构化合物,其中存在固有的阴阳离子缺陷对(2V-1Ag+In2+Ag)。选择Zn原子替代其中Ag原子,Zn原子会占位在Ag或者In的晶格位置,从而产生多种反结构缺陷,例Zn Ag1+和Zn In1-缺陷,分别成为施主和受主。这些缺陷对材料的能带结构和输运性能会产生很大的影响,从而调控热电性能。α?In2Se3是一种层状结构半导体化合物,其中存在1/3 In原子层空位并有少量未成键的Se原子,这同样对优化结构和热电性能具有巨大的潜力。本文研究了Ag1-x In Znx Se2(x=0.025,0.05,0.1),In2-x Znx Se3(x=0.005,0.01,0.02)两种材料,具体研究成果总结如下:1、根据化学计量比设计制备Ag1-x In Znx Se2(x=0.025,0.05,0.1),采用X射线粉末衍射结合GSAS结构精修原子占位情况。通过精修,发现Zn原子占据在In原子和Ag原子的位置几率基本相同。在815 K,且x=0.01时,材料Ag1-x In Znx Se2(x=0.1)的ZT值为1.05±0.12,远远高于本征Ag In Se2。2、采取同样的方法制备In2-x Znx Se3(x=0.005,0.01,0.015,0.02)化合物,并对其进行晶体结构和热电性能研究。实验发现Zn有插层到In2Se3中Se-Se层(van der waals)间隙的迹象,但尚需进一步证实。这一插层降低了载流子跨越层隙的阻力,极大地提高了电导率。同时,插层还使晶格结构发生严重畸变,降低了晶格热导率。通过热电性能测试分析,在垂直于压制方向,当x=0.01、温度为917K时,热电优值ZT取得最大值0.75,为本征α-In2Se3的3.27倍;而平行于压制方向,热电优值ZT取得最大值1.22,约为本征α-In2Se3的5.0倍。因而,研究得出,Zn的掺入大大改善了α-In2Se3的热电性能。