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电子诱发原子内壳层电离的研究一直是原子物理的重要研究方向之一。目前已有的实验数据多集中在几十keV入射能量电子和中小Z靶原子，有些元素甚至没有相关的数据见报道，且已有的数据相互间存在较大差异。在理论研究方面，目前尚没有一种理论模型可以解释不同能量电子引起各类靶原子的内壳层电离现象。因此，新的可靠的内壳层电离截面数据对深入认识电子碰撞原子内壳层电离机制，检验和发展理论模型十分必要。 本论文工作利用中国科学院近代物理研究所的电子加速器，采用自支撑厚靶，测量了1.0 MeV电子分别轰击高序数的Ta、Re、Au三种靶的K壳层电离截面及Ta和Au两种靶的L壳层电离截面;测量了中低序数的Ni、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Pd、Cd、Sn九种元素的K壳层电离截面。将实验结果与经验模型以及他人实验数据进行了比较，并进行了讨论。 除Sn和Au靶的K壳层电离截面外，本工作测得的其它数据均为首次测得。将各种靶的K壳层电离截面与SBELL、Hombourger、Casnati经验模型值进行比较;Sn和Au靶的K壳层电离截面与D.H.Rester和W.E.Dance测得的实验数据相比较;将Ta和Au的L壳层电离截面与Born-Bethe和Scofield的理论计算值进行比较，发现:本实验测得的中低Z元素的K壳层电离截面比相应的经验模型值都偏小很多;在实验误差范围内，高Z元素的K、L壳层电离截面数据与各经验模型值及前人的实验数据很好地符合。