【摘 要】
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三族氮化物材料由于其在蓝绿到紫外领域光电器件的广泛应用而成为人们研究热点,AlInGaN四元合金使得这种材料体系的应用范围得到极大的扩展.该文对AlInGaN的生长和性质作了以
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三族氮化物材料由于其在蓝绿到紫外领域光电器件的广泛应用而成为人们研究热点,AlInGaN四元合金使得这种材料体系的应用范围得到极大的扩展.该文对AlInGaN的生长和性质作了以下研究.1.研究了生长温度对AlInGaN材料性质的影响.能量色散谱及X射线衍射结果表明:Al的并入不随温度改变,而低温下生长的样品In的含量增加,其有最好的光学性质及表面形貌,这是由于更多In的并入所导致.2.发展了一种在GaN缓冲层上直接生长AlInGaN的方法,生长出来的外延层质量与常用的在高温GaN上生长的相当,但可节省源料、减少生长时间,有一定应用价值.3.研究了AlInGaN合金的发光机制.
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