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电子在磁性界面上自旋相关的透射和反射对于理解交换耦合振荡，巨磁阻，隧穿磁电阻，自旋扭距，自旋泵，自旋注入等现象有着关键的作用。新近发展出的基于TB-LMTO计算纳米体系散射矩阵程序包，由于选用了较为有效的基矢和表面格林函数的技术，能处理上万个原子的体系，从而能将界面无序与界面能带失配等同处理，使理论计算与实验结果定量比较成为可能。本文中将此方法运用到研究垂直界面的电子输运过程，(1)金属|金属界面的电阻：提出了决定电子界面透射率的一个新的简单模型；(2)磁性金属隧道结的磁电阻：系统研究了界面粗糙度对TMR的影响。随着器件尺寸的减小，界面开始主导系统的输运行为，因此，准确描述电子在界面上的透射和反射就变得很重要。我们从第一性原理出发，系统计算了一系列晶格匹配很好的金属界面的透射和晶体取向之间的依赖关系。对于可以用自由电子描述的材料Al和Ag构成的界面，发现了界面透射有很高的各向异性。我们的分析表明，周期势场对自由电子模型的微小修正对界面输运性质的个向异性有决定性的影响。系统而定量地研究了界面粗糙度和无序在FeCo|vacuum|FeCo隧道磁电阻的影响。发现界面粗糙度能强烈的影响自旋极化输运，而电极中无序散射则影响稍弱，但都能极大的抑制理想系统预言的超高隧道磁电阻。