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功率集成电路的需求量与日俱增，方兴未艾。高压体硅LEDMOS(Lateral Extended Drain MOS)作为用于功率集成电路的一种新型横向高压MOS器件，得到广泛关注和研究。理论模型对提高 LEDMOS器件的击穿电压、降低导通电阻以及提高可靠性具有十分重要的意义，但尚未见用于高压 LEDMOS器件优化设计的相关理论模型，因此，对高压LEDMOS器件理论模型的研究至关重要。
论文研究并建立了高压LEDMOS的表面电场/电压模型、导通电阻模型、Kirk效应模型以及温度分布模型，基于这些模型设计出新型的高性能高压LEDMOS器件，同时建立了LEDMOS器件的 Hspice模型，并成功应用于PDP驱动芯片电路，经流片测试，满足PDP系统需求。在课题研究过程中，申请了专利26项，其中 15 项获得授权。论文对功率器件及功率集成电路的发展主要作出如下贡献：
1、研究并提出了能同时应用于器件关态和开态的高压体硅RESURF LEDMOS器件的表面电场/电压模型，揭示了不同场极板以及场极板下不同氧化层厚度与电场/电压分布的对应关系。
2、研究并提出了高压LEDMOS器件的导通电阻模型，该模型可以直接指导降低LEDMOS器件导通电阻的设计，并成功研制出优化结构的LEDMOS器件，其导通电阻比传统结构降低30％以上，相关成果获得4项国家发明专利。
3、提出一种漂移区分段线性注入的方法并建立了模型，据此研制出一种新型的LEDMOS器件，该器件的击穿电压比常规的LEDMOS提高58.8％，导通电阻降低87.4％。该成果申请了2项国家发明专利。
4、在分析高压LEDMOS器件的可靠性和热效应的基础上提出了LEDMOS器件的Kirk效应模型和表面温度分布模型，为高可靠的LEDMOS器件优化设计打下了基础。
5、基于上述结果，优化设计出高压NLEDMOS和PLEDMOS器件，并提出了相应的Hspice模型，运用该模型仿真后，并经流片验证，高压LEDMOS器件成功应用于高压集成电路，相关成果已获得3项国家发明专利。
6、提出了一种新型的高低压转换和驱动电路，并运用上述高压LEDMOS器件及相关模型成功研制出PDP行列驱动芯片，应用于高分辨率荫罩式PDP显示器，实现了DVD播放。相关成果发表在IEEE Trans.on Electron Devices等杂志上，并已获得4项国家发明专利并申请了国际发明专利1项。