【摘 要】
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该文首先阐述了利用双光子响应半导体二极管代替倍频晶体和光电倍增管来构造自相关装置的优势.说明了研制双光子响应硅光电二极管的目的、意义.其次,阐述了从实验上区分倍频吸收和双光子吸收的方法.双光子响应硅光电二极管工作的物理机制以前并不清楚,究竟是直接双光子吸收是主要的,还是倍频吸收是主要的,或是两者兼而有之,没有定论.通过观测硅光电二极管的双光子响应和铝/硅肖特基势垒处的光生电压的各向异性,我们得出在
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该文首先阐述了利用双光子响应半导体二极管代替倍频晶体和光电倍增管来构造自相关装置的优势.说明了研制双光子响应硅光电二极管的目的、意义.其次,阐述了从实验上区分倍频吸收和双光子吸收的方法.双光子响应硅光电二极管工作的物理机制以前并不清楚,究竟是直接双光子吸收是主要的,还是倍频吸收是主要的,或是两者兼而有之,没有定论.通过观测硅光电二极管的双光子响应和铝/硅肖特基势垒处的光生电压的各向异性,我们得出在硅光电二极管中倍频吸收是主要的结论.为今后研制高灵敏度的双光子响应硅光电二极管奠定了理论基础.
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