电光Q开关的晶体材料研究及器件设计

来源 :中国科学院研究生院 中国科学院大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wakaji
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本文的研究是围绕改善电光Q开关的性能展开的,包括寻找新的具有优良性能的双折射晶体和电光晶体,以及设计外部结构提高电光开关的损伤阈值。   1.Ba2Ca(B3O6)2晶体生长和性能研究   采用助熔剂法生长出了尺寸达到50×30×12mm3的Ba2Ca(B3O6)2(BCBO)晶体;差示扫描量热分析(DSC)表明该化合物为同成分熔融,熔点为1120℃;测试了BCBO晶体的透过范围,发现该晶体的紫外截止边为181nm,300-2260nm范围内的透过率超过80%;采用最小偏向角法测试了BCBO晶体的双折射率,BCBO在181-3000nm具有大的双折射(0.086~0.242)。   2.硼酸盐新化合物BaSn(BO3)2和SrZr(BO3)2   通过X射线单晶衍射解析了硼酸盐新化合物BaSn(BO3)2和SrZr(BO3)2的晶体结构。   BaSn(BO3)2属于三方晶系,空间群为R-3c,单胞参数a=5.0287(15)A,c=35.01(2)A,Z=6;该晶体的基本结构基元为平面的BO3三角形基团;从C方向看,由Ba2+、Sn4+和(BO3)3-。按照-[-Ba-BO3-Sn-]-的顺序构成链状结构。   SrZr(BO3)2也属于三方晶系,空间群为R-3,单胞参数:a=5.058(6)A,c=16.70(3)A,Z=3;该晶体结构与BaSn(BO3)2类似,但是单胞体积只有后者的一半。   3.高损伤阈值电光Q开关的开发   设计了一种扩束棱镜,降低了进入铌酸锂(LN)晶体的激光功率密度;采用该结构开发出的新型Q开关损伤阈值相比于铌酸锂晶体高一倍,相比于现有LN Q开关至少高三倍。
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