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稀土掺杂材料在许多领域都发挥了重要的作用，包括在工业、能源、军事等领域的广泛应用。特别是在光学领域，稀土掺杂材料已被应用在发光二极管、激光器、放大器等光学元器件中。本文中，主要研究了稀土掺杂纳米粉末的制备工艺，分析了下转换光致发光机制。具体内容有: 首先，采用高温固相反应法制备了系列Tb3+，Ce3+∶CaSrSiO4纳米粉末。用透射电子显微镜、X射线衍射仪和电子衍射仪，对样品的材料特性，包括晶体结构和表面形貌，进行了系统表征;用荧光光度计研究了样品在285 nm激发下的下转换光致发光机制。结果显示:未掺稀土和掺杂后的硅酸锶钙纳米粉末，晶体结构和形貌未发现明显变化，但透射电镜显示单掺Tb3+离子的样品存在大量纳米线结构。单掺Tb3+离子样品，能够得到380（紫外光），488（蓝光），544（绿光）和625 nm（红光）等四个强的发射峰，分别对应于Tb3+离子能级的5D3→7F6，5D4→7F6，5D4→7F5和5D4→7F3间的跃迁。在Tb3+离子和Ce3+离子共掺样品中，Ce3+离子的5Db和5D。能级向Tb3+离子5D1能级传递了能量，增加了Tb3+离子的光致发光强度。CIE1931计算结果显示稀土离子的掺杂浓度不同，显色性也不一致。然而，对于0.1 mol％Tb3+-0.6 mol％Ce3+∶CaSrSiO4的共掺样品，在285nm紫外激发下，能够获得强的白光发射。 其次，采用相似制备工艺得到系列Tb3+，Ce3+∶CaSnO3纳米粉末。同样进行了材料特性的表征，以及光致发光特性分析。结果表明:在264 nm的紫外激发下，单掺Tb3+离子的样品，在491，545，588和624 nm观测到四个强发射峰。Tb3+和Ce3+在锡酸钙基质材料中呈现了与硅酸锶钙基质中相反的能量传递过程，即能量由Tb3+离子传递给了Ce3+离子。 最后，采用二次烧结法制备了Tb3+，Ce3+∶CdSiO3系列玻璃，并利用氙灯的377 nm作为泵浦光源，测量了室温下的光致发光谱，同时也采用了325 nm He/Cd激光器作为抽运源，测量了光致发光特性随温度(290-10 K)的变化。结果显示，随着温度的不断降低，样品的光致发光强度明显增强。原因在于温度越低，样品的声子能量越低，导致了光致发光效率得到明显改善。