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本文讨论了目前GaSb材料的优点及存在的问题，并将其进行两个部分进行研究：第一部分为Si基GaSb薄膜的异质外延，第二部分为GaSb的电学、光学特性的测量及研究。 在第一部分中，主要利用MBE在富Sb条件下获得GaSb材料。实验中分别改变温度和束流比等条件来对比GaSb材料的质量。实验分析表明，生长温度、速率、Ⅴ/Ⅲ束流比分别为530℃、0.8ML/s、8是最佳生长条件。 在第二部分中，利用 XRD对 GaSb生长特性进行测试，同时，利用霍尔测试仪测试GaSb的电学特性。实验表明，材料的电子浓度随掺杂源温度的变化而发生改变。XRD测试结果表明，外延层中存在些许杂质及Ga反位缺陷，对材料电学特性分析，杂质和Ga反位缺陷影响了材料的载流子浓度及导电性。