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LTCC（Low Temperature Co-fired Ceramic）技术是目前实现各种微波介质陶瓷元器件微型化、复合化、片式化、模块化的最佳途径。为满足LTCC工艺和微波元器件高频化的要求，微波介质陶瓷正在朝高频、低温烧结等方向发展。 CaSiO3体系陶瓷是一种良好的低介高频微波介质材料，但是其烧结温度高，难以在1000℃以下与Ag、Cu等低熔点电极材料共烧。目前国内外报道的对该体系低温烧结的研究均为微晶玻璃制造工艺，且制备的材料介电损耗大。本文以CaSiO3体系为研究对象，首先对CaSiO3体系进行改性，并首次采用Li2O和Bi2O3作为烧结助剂，降低体系烧结温度，在此基础上，采用CaTiO3调节陶瓷的频率温度系数，制备出微波介电性能优良的具有工业应用价值的CaSiO3系LTCC低介高频微波介质陶瓷。 （一）协调CaSiO3微波介质性能。本文以Mg2+和Zn2+置换Ca2+，对CaSiO3基体材料进行改性。研究表明：Mg2+部分取代Ca2+所得的陶瓷样品比Zn2+部分取代Ca2+所得陶瓷样品的Q·f值高1倍，其中组成为(Ca0.7Mg0.3)SiO3的陶瓷，在1280℃烧结，微波介电性能：εr=7.20，Q·f=20978GHz（8GHz），是进行低温烧结研究的最佳基体材料。 （二）复合添加Li2O、Bi2O3助剂协同降低(Ca0.7Mg0.3)SiO3烧结温度，并协调介电性能。研究表明：添加Li2O、Bi2O3助剂，促使(Ca0.7Mg0.3)SiO3陶瓷在低温下合成介电特性优良的CaMgSi2O6、CaSiO3相；添加1wt％Li2O+6wt％Bi2O3，致密化温度降至920℃，其介电性能：εr=7.61，Q·f＞15000GHz（8GHz），频率温度系数偏大（τf=—41ppm／℃）。 （三）优化低温烧结微波介质陶瓷介电性能。采用CaTiO3调节低温烧结(Ca0.7Mg0.3)SiO3陶瓷τf，结果表明：(Ca0.7Mg0.3)SiO3陶瓷τf随CaTiO3添加量增加向正频率温度系数移动。当添加量为14wt％时，在900℃烧结，微波介电性能：εr=9.42，Q·f＞11000GHz（8GHz），τf=+3.5 ppm／℃。 本文研究材料的技术指标处于国内领先，填补了国内低介高频低温烧结微波介质陶瓷的空白。材料经过适应性批量生产研究，满足多层片式器件的要求，可用于制备多层片式天线、平衡-不平衡转换器、低通滤波器等小型微波频率器件。