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SnO2∶F(FTO)具有优良透光性和导电性，被广泛应用于低辐射玻璃、太阳能电池、平板显示器等领域。随着这类器件的广泛应用，人们对它的光电性能要求也是越来越高。为了进一步提高SnO2∶F薄膜光电性能，本文从过渡层对其光电性能的影响开始，选择三种过渡层材料SnO2、 TiO2、SiO2，制备不同过渡层的FTO薄膜并对其性能进行研究，以改善功能层FTO薄膜的光学和电学性能。 首先研究了不含过渡层的FTO薄膜的制备工艺，发现薄膜厚度对SnO2∶F薄膜晶体结构、表面形貌、光电性能的影响很大。当膜厚为300nm左右时，FTO薄膜样品性能达到了低辐射玻璃的要求;当纯的无掺杂SnO2作为过渡层时，FTO薄膜导电性能几乎不变，但透光率和低辐射系数都还降低。因此在本实验中，SnO2薄膜不宜于作为FTO的过渡层;以TiO2薄膜作为过渡层时，由于TiO2以金红石结构存在，具有(200)生长取向，能够诱导FTO薄膜沿(200)取向生长，得到的FTO/TiO2薄膜比单层FTO薄膜光电性能明显提高。 以SiO2薄膜作为过渡层时，SiO2对玻璃衬底中Na+、Ca2+、K+等杂质离子阻隔作用和其增透作用，能有效提高功能层FTO的光电性能。制得FTO/SiO2薄膜电阻率最小为4.51×10-4Ω·cm，平均透光率80.3％，低辐射率为最小0.1。与单层SnO2∶F镀膜玻璃相比，导电性能和平均可见光透过率分别提高了30％和7.8％。通过对比，SiO2过渡层的FTO薄膜性能最优。