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为了满足MEMS发展的需求，依据Si的各向异性腐蚀特性所发展起来的湿法腐蚀工艺在制作MEMS器件的过程中发挥了巨大的作用。与干法刻蚀相比较，湿法刻蚀技术的加工成本更为低廉，且工艺制作过程也相对简单。本文对硅材料的各向异性腐蚀机理及特性进行了深入分析，并以此为基础进行了硅基MEMS湿法工艺技术研究。通过对BN-303光刻胶的工艺优化，发现BN-303光刻胶对前烘温度较为敏感，摸索出一套优化光刻工艺为：在其它光刻工艺条件固定的情况下，最佳前烘温度为80℃，保温30min，经深腐蚀后得出较好的图形，对于后序的掩膜和圆形阵列刻蚀起到至关重要的作用，也为微器件加工提供一些可靠的工艺参考。在KOH与IPA混合腐蚀液腐蚀系统中，为了得出类圆形深槽MEMS三维结构，通过对不同导电类型及电阻率的实验分析与探讨，总结出对于N型导电类型，电阻率为3×10-3～9×10-3Ω.cm的硅基片，在腐蚀过程中，IPA抑制（110）面腐蚀速率，使（110）面成为腐蚀演进面，并且（100）底面平整。通过对不同含量IPA对三维结构的影响分析，在5M（mol／L）KOH溶液中，20vol％IPA是影响（110）面腐蚀速率的极值点，低于该值不能完全阻挡OH-活性离子接近（110），而高于该值，由于色散力的存在，削弱了IPA对（110）面的吸咐作用，不能抑制V（110）。并且对不同浓度KOH、不同腐蚀时间对MEMS三维结构的影响作了深入分析与探讨。利用各向异性腐蚀湿法工艺制作了类圆形阵列，尝试结合各向同性腐蚀技术的制造思想，具有制造圆槽阵列和圆台阵列的能力，从而克服了传统MEMS制造中三维加工能力不足的缺点，是制造三维结构的高效低成本的有效方法，为批量化加工研制生产硅基MEMS奠定基础。