BaFBr:Eu<'2+>的PSL机理研究

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该文是在单电子Hartree-Fock近似的基础上采用扩展离子方法和全电子从头计算方法,研究了BaFBr:Eu<2+>晶格中的F<->离子层间F心迁移,Br<->层的F心迁移和F<->离子与Br<->离子层间F心迁移过程中的能量势垒和F心基态、激发态以及激子能量,对于F心和激子的研究结果与实验符合的很好.同时针对现今对BaFBr:Eu<2+>晶格中的PSL(PhotoStimulated Luminescence光致发光)现象解释几种模型,提出一种新的PSL产生模型,认为由于热或光的激发导致F心在BaFBr:Eu<2+>层间迁移,在Eu<3+>近邻形成PSLC(ph otostimulable luminescence complex光致发光中心),F心子受激由1S态跃迁至P<,11>态(P<,11>表示与Eu-Br轴线方向平行的方向),由隧道效应迁移到Eu<3+>上与空穴形成瞬时激子态,跃迁到Eu<2+>的5d态,在Eu<2+>的5d激发态向4f<7>基态跃迁的过程中PSL产生或直接跃迁到4f<7>基态产生PSL现象.我们详细给出了在BaFBr:Eu<2+>晶格中不同位置F心可能移动路径的物理图景,从而为更好的理解BaFBr:Eu<2+>晶格中PSL现象的产生提供了更加翔实的理论依据.
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