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随着全球能源匮乏,能源的高效利用与开发已成为人类发展的总趋势。半导体光催化技术作为新型清洁技术应运而生。随着近几年的研究开发,光催化技术广泛应用于污染物处理,催化产氢以及光催化杀菌等领域。AgBr作为新型半导体光催化剂,其禁带宽度在2.46 eV左右,在可见光照射下电子-空穴分离,显示出良好的光催化活性。然而,AgBr在光照后易产生单质银(Ag0),即具有光腐蚀性,这一特性制约了AgBr的稳定性,影响其工业化应用进程。科学家们通过一系列的改性方式以提高AgBr的光催化活性及稳定性。本文即在此研究背景