【摘 要】
：
由于InN和GaN间存在大的晶格失配，InGaN材料生长易形成高密度缺陷，非辐射复合几率增加，导致发光效率大幅下降。此外高铟组分的InGaN/GaN量子阱由晶格失配引起的应变会产生强的压
论文部分内容阅读
由于InN和GaN间存在大的晶格失配，InGaN材料生长易形成高密度缺陷，非辐射复合几率增加，导致发光效率大幅下降。此外高铟组分的InGaN/GaN量子阱由晶格失配引起的应变会产生强的压电极化场，引起能带弯曲，使电子和空穴波函数空间交叠减少，辐射复合几率大幅下降。 本文通过应变诱导形成类似量子点的纳米岛状结构，有效抑制了高铟(26.8％)InGaN有源层的失配位错和坑的形成。由于类量子点的纳米岛状结构引起的应力再分布及其上的GaN岛引起的InGaN有源层应变调制，导致在位错周围形成了较高的表面势垒，从而使载流子横向上产生局域化效应，远离缺陷处的非辐射复合中心。室温阴极荧光检测显示503nm处的富铟InGaN量子点发光和444nm处的量子阱发光。光致发光显示量子点发光为主的发光峰，进一步支持了形成的富铟InGaN类量子点的确存在较强的载流子局域化效应。因此，绿光发光增强的主要原因可归纳为:(1)坑和位错密度减少，降低了非辐射复合率;(2)应力弹性释放形成量子点，提高了电子—空穴波函数的空间交叠;(3)量子点的载流子局域化效应和位错周围较高的表面势垒，抑制了载流子移向位错和缺陷及其非辐射复合;(4)表面粗化提高光的出射效率。 另外，扫描透射电镜观察显示，多量子阱样品中底层量子阱的富铟纳米结构仍然完好，而接近表面的量子阱却形成了较多缺陷。通过预生长(高铟)超薄层，可避免产生过大应力及其应力释放。而铟的表面活性剂作用可提高吸附原子的横向迁移率而抑制应力的积累。因此底层量子阱的富铟纳米结构保持较好的结构完整性，但顶部量子阱由于应力积累并释放，而形成较多的位错、坑等缺陷。此外，高铟超薄层引起的能带工程减少了电子和空穴的空间分离，提高了载流子复合几率，进一步增强了绿光发光效率。
其他文献
探究性学习一般是指从学科领域和现实的社会中选择一些问题作为研究的主题,在教学中为学生创设一定的情景,通过学生自主独立地发现问题和解决问题等一系列活动,使知识技能、
无线传感器网络(Wireless Sensor Network,WSN)是一种新兴的信息处理技术,它集成了传感器技术、嵌入式技术、电子技术和无线电技术,应用于国防科技、监测环境、探索空间、卫
在我国教育改革不断发展的今天，教育越来越注重对学生情感的培养，“以人为本”的教学理念越来越多的渗透到各个阶段的教学中，语言教学更是如此。且小学英语作为学生初次接触的第
石墨烯量子点(Graphene Quantum Dots,GQDs)具有显著的量子限域效应、边界效应和良好的生物兼容性等特点,在荧光标记、微纳传感器、靶向医疗、生物示踪及电催化领域具有巨大的应用前景。掺杂能有效地调节石墨烯量子点的晶体和电子结构,从而改变其光致发光和电催化等性能。目前石墨烯量子点的产业化应用仍然存在诸多难题,如可控制备、改性和低成本量产等。本文以碳纤维和石墨粉为原料,采用强氧化刻蚀
去年7月,中央颁布了《党政领导干部选拔任用工作条例》(以下简称《干部任用条例》)。《干部任用条例》的颁布实施,标志着我们党的干部工作在建立健全科学的选拔任用机制和监
在现代光通信系统中，光隔离器是一种不可或缺的光无源器件。光隔离器避免了光源和光器件由于反射光而被损坏。传统的光隔离器是利用偏振光的法拉第效应，此种技术已经很成熟并广
人教版初中数学教材是以问题导入、活动展开、思考深入、归纳升华的思路编写而成，注重情境导入，注重揭示知识的形成过程，启发学生思考，培养学生之间的合作探究能力和归纳总结能力
一、花鸟画艺术的发展轨迹花鸟画是中国绘画大框架中最具风姿的支柱之一,具有独特的不可替代的审美形态。明、清时期为我国大写意花鸟画的鼎盛期,尤其在清代,出现了一大批优
基于实现量子计算机的动机,以介观约瑟夫森器件为研究主体的超导量子电路有了广泛的发展。该量子电路由于其自身的一些优良性,如低损耗,低发热等特点,引起了人们的注意。该量
近年来，由于高中学习压力较大且活动时间的减少，致使学生身体素质越来越差。在新课程改革的背景下，要求提高高中体育课堂教学高效性的呼声越来越高。本文简要阐述了高中体育课堂