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本文主要简述了以下几方面内容：
(1)利用透射电子显微术研究了(001) LaAlO3单晶基片上采用脉冲激光沉积技术外延生长的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜。这种薄膜室温处于顺电相，低温转变成铁电相，其铁电转变温度为250 K。微结构研究表明薄膜和基体之间有很好的外延生长关系，界面干净、清晰，且有周期性位错存在。电子全息研究表明薄膜在120 K左右铁电极化沿薄膜(001)方向，分析表明，由于电荷的相对移动导致正负电荷分别聚集在界面和薄膜表面处，可以在界面和表面处分别探测到正负势场。室温电子全息研究表明在界面位错处聚集有正电荷，而且在薄膜内部晶界处也有电荷聚集，导致介电常数随外加直流偏压变化曲线呈蝶形，即室温顺电相下，薄膜仍呈现一定弱铁电行为，降低或减小这种弱铁电行为将会使这种Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜具有更好更广阔的应用前景。
(2)利用透射电子显微学中离轴电子全息方法研究了锰氧化物异质结界面处的势垒分布情况。研究了两种异质结：一种是利用分子束外延技术在电子型掺杂的SrTiO3基体上沉积的空穴型掺杂的La0.9Sr0.1MnO3薄膜；另外一种是用脉冲激光沉积技术在电子型掺杂的SrTiO3基体上沉积的La0.7Ce0.3MnO3薄膜。实验结果表明不论是在p-n结还是在名义n-n异质结上都有明显电子扩散现象；p-n结的电势变化比较复杂，原位电子全息观察表明伴随着铁磁转变n-n结上界面势垒层发生了明显的变化，宽度和高度几乎是室温的2倍，这个结果和电学性能测量结果以及理论估计值基本一致。
(3)利用电子显微术、电子能量损失谱和电子全息技术研究了Si基体上沉积的STO/LSMO外延薄膜的界面原子微结构、电子结构和电荷分布情况。结果表明在Si和STO层界面处由于氧扩散会形成一层过渡的SiOx原子无序层，且随着薄膜生长条件不同界面层厚度稍有不同；选区电子衍射表明薄膜和基体之间有很好的外延取向关系；电子能量损失谱分析表明界面无序层中Si离子处于中间氧化态SiO2-x(O
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