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当半导体技术进入0.25um工艺节点时，IC设计流程第一次走在了工艺的前面．从那时起，设计开始逐步掌控着集成电路工业发展；随着工艺的摩尔定律持续进步，要求芯片最小特征尺寸按等比例缩小，当工艺发展进入深亚微米时(0.18um工艺)，互连延迟占到总延迟的60％～70％，互连延迟严重地影响着IC性能，使得对高性能IC的设计流程发生了根本变化，即从传统以器件为核心流程转向以互连设计为中心的流程．当今，甚大规模集成电路(ULSI)发展已进入超深亚微米工艺级的设计，互连系统结构更加复杂，问题解决更加棘手，互连系统的设计直接决定着IC设计的成功与否，因为互连延迟时间改善是互连问题中最为重要的内容之一，更是众多互连相关问题的核心问题．
本文是在当今IC技术发展水平背景下，对ULSI设计中的互连延迟问题在展开了广泛研究、细致安排，认真归纳和谨慎论证的基础上，从互连延迟相关的多个方面进行了的具有实用价值的论述．其内容包括互连系统复杂性分析、互连延迟相关参数模型与参数提取介绍、常用互连延迟模型对比分析、互连延迟优化措施分析总结，最后分析了传统二维IC向三维IC转移的必然．其中最为重要的内容有三个：其一、对常用互连延迟模型延迟估计的特点及应用场合进行了分析；其二、对当前互连延迟优化措施进行了归纳总结：最后，对作为互连延迟优化中对引入的新材料进行了分析探讨(包括Cu互连的可靠性问题研究和低K介电质材料现状分析)以及论证了二维IC向三维IC转移的必然趋势．