【摘 要】
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GaN基材料作为第三代半导体的典型代表,具有宽禁带、高电子漂移饱和速度、高击穿电场、低介电常数等优点,被广泛应用于光电、高频、大功率器件制作等领域。其中,AlGaN合金材
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GaN基材料作为第三代半导体的典型代表,具有宽禁带、高电子漂移饱和速度、高击穿电场、低介电常数等优点,被广泛应用于光电、高频、大功率器件制作等领域。其中,AlGaN合金材料随着Al组分在0～1之间变化,其禁带宽度在3.4～6.2之间连续变化,覆盖整个太阳盲区,是天然的日盲材料,在紫外探测领域有广阔的应用前景。近年来,GaN基紫外探测器得到了广泛地研究,并取得了重要的成果。其中,p-i-n型紫外探测器由于具有响应速度快、噪声低和零偏压下可工作等优点,成为紫外探测器研究的重点。
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