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该文在横场Ising模型中引入赝自旋和晶格的耦合作用,应用于铁电薄膜,通过数值求解研究这种直流电合作用对铁电薄膜相变和介电性质的影响.
铁电薄膜的相变和介电性质研究
【摘 要】
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该文在横场Ising模型中引入赝自旋和晶格的耦合作用,应用于铁电薄膜,通过数值求解研究这种直流电合作用对铁电薄膜相变和介电性质的影响.
【机 构】
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南京大学
【出 处】
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南京大学
【发表日期】
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2001年期
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