【摘 要】
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该文对HCI应力下的PMOSFET的寿命模型进行了研究,首先对目前的HCI应力的研究进行了总结,并对最差应力模式进行了探讨,提出适用于不同沟长,不同栅氧化层厚度的物理模型和与之
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该文对HCI应力下的PMOSFET的寿命模型进行了研究,首先对目前的HCI应力的研究进行了总结,并对最差应力模式进行了探讨,提出适用于不同沟长,不同栅氧化层厚度的物理模型和与之相适应的经验公式.然后,采用PDO的方法提取实验的一些关键参数,并在这些数据的基础上实验验证了物理模型和经验公式.在已有数据和公式的基础上,对实验和研究作出进一步的分析,并对1/V<,d>-V<,d,sat>和1/V<,d>模型对PMOSFET寿命预测的适用范围进行了定量的分析.
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