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由于碳化硅晶体的优点,其已成为第三代半导体材料,制成的器件和电路具有在国防安全、航空航天、汽车、石油钻探等工业技术的特殊环境下应用的前景。碳化硅晶体虽然具备诸多优点,但因硬度高,加工十分困难。在生长出高质量大直径的碳化硅晶体后,晶片加工对晶片的质量起决定作用,其中把体块晶体切割成高质量晶片非常重要,否则将给后序的磨抛工作带来极大困难。本文提出了用环形电镀金刚石线锯切割碳化硅这一新的加工技术,该技术具有锯切效率高、加工质量好、对环境污染小等优点。论文通过对这一加工技术进行深入系统的试验研究和理论分析,揭示碳化硅晶体线锯加工的材料去除机理,加工质量与工艺参数间的关系,提出了提高加工质量的措施,优化了工艺参数。论文所作的主要工作及成果如下：阐述了环形电镀金刚石线锯加工机床的设计要求和工作原理。该机床直接用电主轴驱动主动轮带动锯丝运动,锯丝的速度由变频调速器控制；为保护锯丝,工作台由砝码重力牵引实现恒力进给。整个机床结构简单,易于速度控制,工作可靠。根据锯丝的振动、受力和锯丝的强度分析,确定了本试验的锯丝速度、恒进给力的最佳范围。通过环形电镀金刚石线锯加工碳化硅的试验,研究了锯丝速度、恒进给力对材料去除率、锯切力、锯切表面粗糙度的影响,分析了锯丝的磨损。为了提高材料去除率和加工质量,用正交试验法对加工工艺参数进行了优化。建立了线锯加工单颗磨粒的锯切力计算模型,根据模型和试验,对碳化硅线锯加工的材料去除机理进行了深入研究。并由此得出结论：在本试验条件下,材料为脆性去除；可通过提高线锯速度、减小恒进给力来实现塑性去除。