【摘 要】
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本文就低维条件下的ZnO发光及Raman散射的特性进行了讨论.(1)包埋ZnO量子点以及ZnO复相结构(ZnOX)共振条件下ZnO的LO声子信号显著增强,而发光焠灭.本文从这些结构的共性出发,
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本文就低维条件下的ZnO发光及Raman散射的特性进行了讨论.(1)包埋ZnO量子点以及ZnO复相结构(ZnO<,n>X<,1-n>)共振条件下ZnO的LO声子信号显著增强,而发光焠灭.本文从这些结构的共性出发,以典型体系金属Zn包埋ZnO纳米晶为对象,提出了ZnO纳米晶与基质间界面的结构模型.依据这个模型为低维极性半导体材料多声子共振Raman增强的现象给出一种新的解释.并讨论这种模型假设下低维ZnO发光焠灭的机制.(2)在第一部分工作讨论多声子共振Raman特性的基础上.应用六角结构极性声子Raman散射的角色散特性,提出通过共振Raman光谱检测ZnO纳米线阵列生长取向分布的方案.并对比了共振光谱法与其他表征方法的特点.(3)制备特殊的二维结构(ZnO纳米墙),并讨论了在这种特殊形貌下的发光性质,分析了其紫外发光的来源;通过Raman与共振Raman光谱的对比讨论了ZnO纳米墙的结构特征.
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