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本文采用直流磁控溅射方法分别在玻璃、ITO玻璃和Si片等基体上制备了富铈、富镧、La和Y等稀土系薄膜，对所制备的稀土薄膜在气态和电化学充放氢过程中的晶体结构、表面形貌、电化学性能和光学性能等进行了研究，并对其反应机理和失效原因进行了探讨。 通过对制备工艺的研究，确定了在实验中所采用的磁控溅射系统中稀土系薄膜制备的最佳工艺参数。研究结果表明，衬底温度为150℃，Ar~+的溅射气压为4.5×10~(-1)Pa时比较适宜；溅射过程中，不同溅射靶之间的相互污染、氧化、碳化以及Pd