【摘 要】
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本文以PS-PI-PLA三嵌段共聚物薄膜为主要对象,研究了薄膜厚度和退火温度等对薄膜中纳米结构排列和取向的影响,获得了长程有序的核一壳柱状纳米结构。降解除去PLA后,制得了纳
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本文以PS-PI-PLA三嵌段共聚物薄膜为主要对象,研究了薄膜厚度和退火温度等对薄膜中纳米结构排列和取向的影响,获得了长程有序的核一壳柱状纳米结构。降解除去PLA后,制得了纳米多孔结构的PS-PI-OH薄膜。用所合成的纳米多孔薄膜为模板,合成出了CdS和ZnS等的纳米阵列结构。
研究发现浸泡法虽然简单易行,但由于孔洞内壁的疏水性和相应的毛细张力,使含Cd2+和Zn2+等的甲醇/水溶液很难通过扩散进入PS-PI-OH薄膜的纳米孔洞中；利用间氯过氧苯甲酸(MCPBA)对PS-PI-OH薄膜孔洞内壁进行化学修饰,可以生成大量亲水的醚键,大大提高了含Cd2+和Zn2+等的甲醇/水溶液与模板孔洞的浸润性,有利于含金属离子的甲醇/水溶液在PS-PI-OH薄膜孔洞中的扩散,从而制备得到了高密度CdS和ZnS等纳米阵列结构,但是MCPBA对模板有一定的损伤。最终,利用完全润湿法,前驱体溶液中的金属离子可以通过离子扩散的途径进入PS-PI-OH薄膜的纳米孔洞,完全避免了毛细张力,从而制备得到了大面积、高密度且无缺陷的CdS和ZnS等纳米阵列,此方法所得纳米材料阵列最为理想,可以作为一种普适方法制备多种纳米材料阵列。
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