850nm超辐射发光管结构设计与制作

来源 :长春理工大学 | 被引量 : 2次 | 上传用户:cartman8148
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超辐射发光管具有不同于激光器和发光二极管的优异光学性能。为了提高超辐射发光二极管的光谱宽度和出光功率,本文设计了外延片有源区非均匀阱宽三量子阱结构和波导区非对称结构;在器件结构方面,利用增益钳制理论提出了器件新结构,设计了多波长增益钳制系统,脊形区采用带有模斑转换器的倾斜条结构;在器件制备方面,器件前后腔面蒸镀增透膜,在器件脊形台面上采用了纳米压印技术制作了多波长表面分布式反馈钳制系统纳米柱。制备的器件泵浦区800μm,吸收区1000μm,倾斜6°脊形条宽5μm,在工作电流为160 mA时,管芯室温连续输出功率为14.63 mW,中心波长846.04 nm,半峰宽23.92 nm。这种新结构增益了器件非中心波长,抑制了中心波长F-P振荡,实现了器件中心波长增益钳制。
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