【摘 要】
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本文是在已经研究了单电子晶体管的隧穿特性的基础上,我们在单电子晶体管系统中,加入另外一个量子点,原来的主量子点和第二个量子点通过两个量子点中电子和空穴的Hubbard-lik
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本文是在已经研究了单电子晶体管的隧穿特性的基础上,我们在单电子晶体管系统中,加入另外一个量子点,原来的主量子点和第二个量子点通过两个量子点中电子和空穴的Hubbard-like相互作用耦合到一起。利用格林函数的计算方法,分析此种耦合量子点系统的特性。本文安排如下：第一章,概述半导体量子点的一些基本知识,首先是简单介绍了量子点的概念,较为详细的介绍了量子点的一些独特的量子效应,接着阐述了一下耦合量子点系统,最后是量子点系统在实际中的应用及重要性。第二章,我们在单电子晶体管中引入另外一个P型量子点,叫做第二量子点,两个量子点耦合在一起。利用延迟格林函数法,得出了隧穿电流变化特性,并分析了第二量子点中空穴占据数不同对隧穿过程共振机制分布的影响。第三章,在此章中,我们利用Keldysh非平衡格林函数法,主要计算并分析耦合量子点系统的光致发光谱,以及第二量子点中电子占据数的变化对其的影响。第四章,对本文的总结和展望。
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