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表面等离子体波是导体表面存在的自由振动的电子与光子相互作用产生的沿着导体表面传播的电子疏密波。由于这种特殊的波在光学和电子学中有非常高的应用价值,因而得到广泛重视和关注,而太赫兹作为一种近年来一种最重要的技术拥有非常多的应用场景和科研价值,但是太赫兹频段的表面等离子体波研究较少,本文结合这两种技术提出利用太赫兹表面等离子体波对半导体表面和内部缺陷进行检测,主要工作和结果如下:首先,通过理论推导表面等离子体波的色散方程并计算了太赫兹表面等离子体波在半导体表面的传播特性,计算结果表明随着太赫兹表面等离子体波的频率接近半导体的等离子体频率,太赫兹表面等离子体波在半导体表面传播距离越短,在半导体中衰减距离越长。同时分析了半导体表面和内部有缺陷时对太赫兹表面等离子体波传播特性的影响,分析结果表明,在半导体表面的缺陷越大,表面等离子体波在半导体表面传播距离越短,而当缺陷在半导体内部时,随着缺陷增大,表面等离子体波在半导体表面传播距离会增加。在理论推导分析基础上,通过有限元法仿真研究了缺陷在锑化铟表面和内部时太赫兹表面等离子体波在半导体表面的电场分布,并且讨论了不同缺陷大小对太赫兹表面等离子体波的传播特性影响。仿真结果表明利用太赫兹表面等离子体波能检测出锑化铟表面缺陷最小尺寸为11μm,同时能够检测出锑化铟内部缺陷最小尺寸为16μm。最后通过改建传统太赫兹时域光谱系统搭建本文提出的太赫兹表面等离子体波系统,并对锑化铟表面的缺陷进行检测。实验结果显示,利用太赫兹表面等离子体波能够检测锑化铟表面最小尺寸为11μm的缺陷,并且当太赫兹表面等离子体波的频率越接近半导体的等离子频率时,检测的灵敏度越高。通过对实验结果和之前仿真计算的结果进行对比分析,实验结果符合仿真计算出的结果。对比传统检测半导体缺陷方法,本文提出检测方法可以可以半导体内部和表面的缺陷。