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随着电子工业与技术的迅速发展,第一代半导体Si及第二代化合物半导体GaAs,GaP,InP等代表材料已经不能满足现代军事的发展需求。因此,第三代化合物半导体材料SiC迅速发展起来。SiC半导体材料其禁带宽度为2.3～3.3 eV,在930℃高温下仍具有较低的本征载流子浓度、高电流击穿电场、较高的电子饱和漂移速度及高热导率等以上物理特性,使得SiC材料在高温、高频及高功率器件应用中可成为替代Si的理想材料。为了进一步提高SiC薄膜的晶体质量,促进碳化硅半导体材料的工业生产,了解SiC材料的物理特性,如