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Ⅲ族氮化物(InN,GaN,A1N)是纤锌矿结构的极性晶体、相互之间存在较大晶格失配,在其异质结构有源层内会形成强极化场,导致电子与空穴空间分离;此外由于InN与GaN之间的原子间距,平衡蒸气压和形成焓有巨大差异,c面高铟InGaN面临铟掺入效率低、铟团聚、相分离、高密度缺陷等问题,制备的长波段光电器件工作效率与寿命低。在GaN的非极性或半极性面上外延有源层结构材料,可消除或大幅减小生长方向的极化场,从而提高内量子效率,抑制GaN基器件在大功率工作条件下的效率下降问题,为大功率下工作效率下降的难题提