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铌酸锂晶体作为一种性质优良的铁电晶体，具有十分优良的电光、非线性光学、铁电及光生伏打等诸多物理特性，出众的特性使它日益成为诸多高新产业的核心材料。而随着固态高科技产业的迅猛发展，对光电技术的集成化、微型化提出了更大的要求，从而使薄膜科学和技术愈加受到重视。因此对铌酸锂薄膜的研究，将具有重要的意义。
本文首先综述了几种生长铌酸锂薄膜的主要方法：溅射法、脉冲激光沉积法、溶胶—凝胶法、液相外延法。其中着重介绍了液相外延法生长铌酸锂薄膜的一些情况，包括其发展、具体方法与原理、获得的成果以及目前面临的主要问题——助熔剂的选择。
针对此问题，我们尝试通过实验寻找新的助熔剂材料，以解决现有常用助熔剂材料对液相外延生长铌酸锂薄膜所带来的不利影响。在此，根据液相外延法选择助熔剂的选择原则，我们主要研究了氯化锂、氯化钠、氯化钾和氯化镁等四种氯化物材料。实验观察了它们在生长铌酸锂晶体薄膜时，对衬底材料的影响作用，并分析了它们作为液相外延生长铌酸锂薄膜的新型助熔剂的可能性与发展潜力。
实验中，我们生长出的结果，由于控温参数、实验环境、实验仪器精度等诸多因素限制，多以陶瓷膜体为主，但证明了LiCl、NaCl、KCl作为助熔剂生长铌酸锂薄膜的发展潜力。通过这几种氯化物助熔剂对衬底的影响研究发现，助熔剂LiCl、NaCl对衬底材料具有不同程度的破坏作用，这应归因于材料的蒸发—沉积作用;而KCl作为LPE外延铌酸锂薄膜的助熔剂材料，对衬底无破坏作用。但从生长效果而言,LiCl的效果综合看来效果最佳，因此发展潜力最大。同时实验也证明，MgCl2由于本身化学物理性质的不稳定，并不适合作为助熔剂。
此外我们还实验分析了温度控制在LPE生长铌酸锂薄膜对成膜质量的影响作用，证明减小实验过程中各控温部分的温度梯度有助于系统的稳定和平衡，从而有利于晶体薄膜质量的提高。